芯片产品
- 发布日期：2024-01-10 16:40 点击次数：143
BFR843EL3E6327XTSA1
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编号：
726-BFR843EL3E6327XT
制造商编号：
BFR843EL3E6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
Infineon Technologies
客户编号:
说明：
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
数据表:
BFR843EL3E6327XTSA1 数据表 (PDF)
ECAD模型:
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
定价 (含13% 增值税)数量 单价
总价
1 ¥1.9549 ¥1.95 10 ¥1.8306 ¥18.31 100 ¥1.8193 ¥181.93 500 ¥1.808 ¥904.00 5,000 ¥1.7967 ¥8,983.50 10,000 ¥1.7628 ¥17,628.00 整卷卷轴（请按15000的倍数订购） 15,000 ¥1.6837 ¥25,255.50
× 包装选择
取决于您的订购数量，有些选项可能不可用。
剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按15000的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
特色产品
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规格
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: Infineon 产品种类: 射频(RF)双极晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管类型: Bipolar 技术: SiGe 晶体管极性: NPN 工作频率: 12 GHz 直流集电极/Base Gain hfe Min: 230 集电极—发射极最大电压 VCEO: 2.25 V 集电极连续电流: 55 mA 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TSLP-3 封装: Reel 封装: Cut Tape 商标: Infineon Technologies Pd-功率耗散: 125 mW 产品类型: RF Bipolar Transistors 工厂包装数量: 工厂包装数量: 15000 子类别: Transistors 零件号别名: BFR 843EL3 E6327 SP001062610 单位重量: 0.470 mg
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数据表
BFR843EL3E6327XTSA1 数据表 (PDF)
Models
Infineon-AN307-BFR843EL3-AWR-MWO-Apllication-Example-SM-v01_00-EN (邮政) Infineon-RFTransistor-AWR_MWO_Design_Kit-SM-v02_10-EN (邮政) Infineon-RFTransistor-Keysight_ADS_Design_Kit-SM-v02_10-EN (邮政) PCB Footprints and Symbols - BFR843EL3 - Ultra Low Noise SiGeC Transistors for use up to 12 GHz - Altium - v2.0.zip (邮政) PCB Footprints and Symbols - BFR843EL3 - Ultra Low Noise SiGeC Transistors for use up to 12 GHz - Cadence - v2.0.zip (邮政) PCB Footprints and Symbols - BFR843EL3 - Ultra Low Noise SiGeC Transistors for use up to 12 GHz - Eagle - v2.0.zip (邮政) PCB Footprints and Symbols - BFR843EL3 - Ultra Low Noise SiGeC Transistors for use up to 12 GHz - Mentor - v2.0.zip (邮政) PCB Footprints and Symbols - BFR843EL3 - Ultra Low Noise SiGeC Transistors for use up to 12 GHz - MWO – v2.0.zip (邮政)
Product Catalogs
Infineon's Latest Power and Sensing Guide (PDF)
SPICE Models
Infineon-RFTransistor-SPICE.lib-SM-v02_10-EN
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产品合规性
CNHTS: 8541210000 CAHTS: 8541290000 USHTS: 8541210075 JPHTS: 8541290100 KRHTS: 8541219000 TARIC: 8541290000 MXHTS: 85412999 ECCN: EAR99
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英飞凌射频晶体管
英飞凌射频晶体管配有低噪声放大器和高线性晶体管。低噪声类别的器件采用的是硅双极技术。达 fT <20 GHz 的中等转变频率实现了易用性和稳定性。击穿电压可以安全支持 5V 的电源电压。这些晶体管适用于对高达 14 GHz 的 VHF/UHF 进行调幅（AM） 。
高线性晶体管提供 29 dBm 以上的 OIP3 (三阶交截点)。它们基于英飞凌出品的大容量硅双极和 SiGe:C 技术，实现了同类最佳的噪声系数。这些器件适用于驱动器、前置放大器和缓冲放大器。
适用于IoT应用的射频解决方案
英飞凌射频解决方案组合提供高性能的射频技术产品，用于在物联网应用中实现可靠的无线连接。物联网设备的数量正在飞速增长。同时，客户期望在产品设计和功能方面获得出色的用户体验。
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